氧化銦錫薄膜的電子束蒸發(fā)制備及其電學(xué)性質(zhì)的研究

時間：2020-01-05作者：鄭州仟鑫金屬材料有限責(zé)任公司瀏覽：1001

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• 氧化銦錫薄膜的電子束蒸發(fā)制備及其電學(xué)性質(zhì)的研究

  ? ??氧化銦錫（ITO）由于其在可見光區(qū)的高透射率和低電阻率，作為一種透明導(dǎo)電薄膜被廣泛的應(yīng)用于太陽能電池和液晶顯示器等各種光電設(shè)備中。作為一種能被用于高溫的壓阻材料，國外對其壓阻效應(yīng)已經(jīng)有了足夠的重視，新的研究還在不斷地展開，但是國內(nèi)對此的研究還相當(dāng)少。本文意在通過測量氧化銦錫的電阻溫度系數(shù)（TCR）和室溫下的響應(yīng)因子來研究氧化銦錫的壓阻效應(yīng)。 使用電子束蒸發(fā)技