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可控硅的PN結比三極管多了半個,它有兩個P型半導體和兩個N型半導體組成,我們把它看做是漢堡的話,最底層的是N型半導體,上面的是P型半導體,再上面又是N型半導體,最后一層也還是P型半導體,它總共有四層半導體,N型半導體和P型半導體交錯互織在一起,而里面就夾雜著三個PN結,我們在第二層的P型半導體中接出引線,就成了可控硅的控制極,在第四層接引線稱作陽極,在最下面的N型半導體上接的引線就叫做陰極。單向可
IGBT模塊型號背后的技術密碼電力電子領域的技術人員對IGBT模塊型號中的字母數(shù)字組合再熟悉不過。這些看似隨意的字符排列,實則暗藏著模塊的關鍵技術參數(shù)和性能特征。以英飛凌IGBT模塊為例,型號命名規(guī)則揭示了功率半導體器件的技術演進軌跡。模塊型號中的電壓等級標識直接對應著器件的耐壓能力。常見的600V、1200V、1700V等數(shù)字代表著器件能夠承受的最大反向電壓。電壓等級的選擇直接影響著模塊在變頻器
無感吸收電容是指刻意采取了降低感抗措施的電熔類器件。采用電極板的特殊繞法,表現(xiàn)出的電感很小,適合在高頻電路使用。用途:主要用于UPS、變頻器、電鍍電源、逆變焊機、逆變電源以及感應加熱設備等其他電力電子設備,IGBT吸收高頻尖峰電壓、電流用。無感吸收電熔 其實是無感吸收電熔的一個統(tǒng)稱吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器,可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),消除由于母排的
# IGBT模塊:電力電子領域的核心器件IGBT模塊作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的關鍵部件,其性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和可靠性。這種復合型功率半導體器件結合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導通壓降優(yōu)點,在工業(yè)變頻器、新能源發(fā)電、電動汽車等領域發(fā)揮著不可替代的作用。## 核心技術特征IGBT模塊的核心在于其獨特的結構設計和工作原理。柵極控制特性決定了開關速度,而集電極-發(fā)射極間的電壓耐受能力則關乎
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
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