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IGBT的工作原理IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術
IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。當集電極被施加一
1、IGBT額定電壓的選擇三相380V輸入電壓經過整流和濾波后,直流母線電壓的最大值:在開關工作的條件下,IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍,根據IGBT規(guī)格的電壓等級,選擇1200V電壓等級的IGBT。2、IGBT額定電流的選擇以30kW變頻器為例,負載電流約為79A,由于負載電氣啟動或加速時,電流過載,一般要求1分鐘的時間內,承受1.5倍的過流,擇最大負載電流約為119A ,建議
IGBT的驅動電路必須具備兩個功能:一是實現(xiàn)控制電路與被驅動 IGBT柵極的電隔離;二是提供合適的柵極驅動脈沖。IGBT的驅動電路很多,分立元件搭成的驅動電路,簡單、廉價;專用集成驅動電路保護功能完善、性能穩(wěn)定,但價格稍貴些。獲取海量變頻器圖紙,想了解更多工業(yè)電路板、電梯電路板、變頻器相關知識請關注“從零開始變頻器維修”微信公眾號。EXB841是日本富士公司生產的混合集成電路,能驅動動高達 400
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經理
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