回收優(yōu)勢(shì)

時(shí)間：2020-08-18作者：深圳市寶安區(qū)誠(chéng)芯源電子商行瀏覽：36

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 【回收富士IGBT】什么是IGBT

  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)

• 回收英飛凌IGB

  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)

• 回收三菱IGBT的原理

  方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低

• 【回收富士IGBT】IGBT短路試驗(yàn)

  IGBT短路試驗(yàn)：首先明確一點(diǎn)，IGBT的短路和過(guò)流區(qū)別！IGBT短路分為一類(lèi)短路和二類(lèi)短路一類(lèi)短路指直通雙橋壁的另一個(gè)IGBT，讓另一個(gè)IGBT導(dǎo)通，回路中雜散電感很小，nH的電感二類(lèi)短路指回路中雜散電感很大，uH的電感，屬于過(guò)流！短路電感很小，電流上升很快，危害性很大，過(guò)流時(shí)，電流上升相對(duì)慢！當(dāng)采用霍爾傳感器進(jìn)行保護(hù)時(shí)，因?yàn)榛魻杺鞲衅骱蜑V波電路的延遲在ms量級(jí)，對(duì)于一類(lèi)短路1us電流就能上升到