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詞條說明
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講,是一個(gè)非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的
富士IGBT在電子設(shè)備中有多種應(yīng)用,包括但不限于以下幾個(gè)方面:變頻器和驅(qū)動(dòng)器:富士IGBT廣泛應(yīng)用于變頻器和驅(qū)動(dòng)器中,用于控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)矩。通過調(diào)節(jié)富士IGBT的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài),可以實(shí)現(xiàn)對變頻器輸出電壓和頻率的精確控制,從而實(shí)現(xiàn)電機(jī)的調(diào)速、啟動(dòng)和制動(dòng)等功能。電力系統(tǒng)和供電設(shè)備:富士IGBT在電力系統(tǒng)和供電設(shè)備中的應(yīng)用包括交流/直流電源、UPS(不間斷電源)、電網(wǎng)穩(wěn)壓器和電動(dòng)車充電器等。富士IG
1、系統(tǒng)概述現(xiàn)今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT(絕緣柵型場效應(yīng)晶體管)已成為大功率元件的主流,在市場上居于主導(dǎo)地位。由于科技進(jìn)步,電力電子裝置對輕薄短小及高性能之要求 ,帶動(dòng)MOSFET及IGBT的發(fā)展,尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換....等領(lǐng)域,使半導(dǎo)體開發(fā)技術(shù)人員在市場需求下,對大功率元件的發(fā)展技術(shù),持續(xù)在突破。半導(dǎo)體元件除了本身功能要良好之外,其
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
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手 機(jī): +86 13128707396
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地 址: 廣東深圳福田區(qū)園嶺街道園東社區(qū)園嶺八街園嶺新村92棟103
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