失效分析FA方法介紹

時(shí)間：2020-04-21作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：185

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  詞條說明

• 晶柱切片后處理

  《晶柱切片后處理》 硅晶柱長(zhǎng)成后，整個(gè)晶圓的制作才到了一半，接下必須將晶柱做裁切與檢測(cè)，裁切掉頭尾的晶棒將會(huì)進(jìn)行外徑研磨、切片等一連串的處理，最后才能成為一片片**非凡的晶圓，以下將對(duì)晶柱的后處理制程做介紹。 切片（Slicing） 長(zhǎng)久以來經(jīng)援切片都是采用內(nèi)徑鋸，其鋸片是一環(huán)狀薄葉片，內(nèi)徑邊緣鑲有鉆石顆粒，晶棒在切片前預(yù)先黏貼一石墨板，不僅有利于切片的夾持，較可以避免在最后切斷階段時(shí)鋸片離開晶棒

• 半導(dǎo)體IC制造流程

  《半導(dǎo)體IC制造流程》 一、晶圓處理制程 晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電路與電子組件（如晶體管、電容體、邏輯閘等），為上述各制程中所需技術(shù)較復(fù)雜且資金投入較多的過程 ，以微處理器（Microprocessor）為例，其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道，而其所需加工機(jī)臺(tái)**且昂貴，動(dòng)輒數(shù)千萬一臺(tái)，其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與 含塵量（Particle）均需控制的無塵室（Clean-Room），雖

• 芯片漏電分析手段被誤導(dǎo)了很多年

  一提到IC漏電定位大家都認(rèn)為只有OBIRCH，甚至現(xiàn)在可笑的是認(rèn)為OBIRCH是一種設(shè)備的名稱。今天小編給大家普及一下這方面的知識(shí)。 OBIRCH其實(shí)只是一種技術(shù)，是早年日本NEC發(fā)明并申請(qǐng)了專li。它的原理是：給IC加上電壓，使其內(nèi)部有微小電流流過，同時(shí)在芯片表面用激光進(jìn)行掃描。 激光掃描的同時(shí)，對(duì)微小電流進(jìn)行監(jiān)測(cè)，當(dāng)激光掃到某個(gè)位置，電流發(fā)生較大變化，設(shè)備對(duì)這個(gè)點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)記，也就是說這個(gè)位置即為

• 芯片測(cè)試現(xiàn)狀分析

  失效分析就是要分析損壞的產(chǎn)品從而為改進(jìn)設(shè)計(jì)或明確責(zé)任提供素材的工作。但是從行業(yè)來看，目前很多公司特別是中小型公司的失效分析做的并不好。 中國(guó)有句俗話叫：“吃一塹，長(zhǎng)一智”，《論語(yǔ)》中也有“**過”的說法。其本質(zhì)就是要從失敗中吸取教訓(xùn)避免進(jìn)一步的犯錯(cuò)。 一方面，一些中小型電子產(chǎn)品生產(chǎn)商沒有良好的物料控制體系，不能對(duì)物料進(jìn)行有效的追溯。一旦出了問題，很難查到當(dāng)年的渠道和來源。甚至不能保證物料的真?zhèn)?。較